>> 交銀國際-科技主題研究：光刻技術背后的投資機遇-另辟蹊徑探索國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)鏈-231129
| 上傳日期： |
2023/11/29 |
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| 10836KB |
| 格式： |
pdf 共33頁 |
來源： |
交銀國際 |
| 評級： |
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作者： |
王大衛(wèi),童鈺楓 |
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國產(chǎn)半導體技術突破，未來可期。華為Mate 60Pro手機發(fā)行受到市場的廣泛關注。TechInsights的拆機實驗發(fā)現(xiàn)華為或在此款新手機或搭載了國產(chǎn)7納米制程工藝的邏輯芯片。我們認為，華為使用國產(chǎn)7納米制程邏輯芯片技術主要歸功于國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)鏈突破了DUV光刻機從兩次曝光到多次曝光條件下良品率和生產(chǎn)率的瓶頸問題。相較于境外半導體產(chǎn)業(yè)鏈目前普遍使用EUV光刻機制造7納米工藝制程芯片，國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)鏈另辟蹊徑，成功取得技術上的進步。我們看好半導體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化的趨勢，但是有別于市場上部分著重看好光刻機或是半導體制造公司的觀點，我們通過深挖不同半導體制造技術原理，強調(diào)半導體沉積和刻蝕設備在多次曝光中的重要作用。我們認為，國產(chǎn)7納米制程工藝的突破或?qū)⒃黾影涛g和沉積在內(nèi)的半導體設備的需求。
國產(chǎn)半導體制程升級技術路線利好刻蝕和沉積廠商，關注國產(chǎn)替代半導體設備龍頭。我們認為，相比較境外廠商的技術路線，國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)鏈或在一段時間內(nèi)依賴DUV配合多次曝光的技術路線。相較14/16納米制程工藝，7納米制程工藝所需要的沉積和刻蝕工序數(shù)量或?qū)⒃鲩L50%-67%。我們預測全球沉積和刻蝕設備在半導體設備價值量的占比將從2022年的43%增加到2026年的54%，并預測內(nèi)地半導體設備銷售額或?qū)⒗^續(xù)增長。我們對比了內(nèi)地和境外半導體技術路線在7納米制程之后的區(qū)別，并通過參考歷史上半導體制程的技術分布變化，預測國產(chǎn)半導體制造公司就工藝制程一項在3年時間或?qū)Τ练e和刻蝕的需求(2025年相對2022年)增長66%，對應18.3%的CAGR。我們建議投資者關注半導體設備國產(chǎn)替代背景下，國產(chǎn)刻蝕和沉積設備廠商中微公司（688012 CH）和北方華創(chuàng)（002371CH）。
短期內(nèi)形成產(chǎn)業(yè)閉環(huán)是關鍵。與大部分研究展望推算國產(chǎn)更先進半導體工藝制程不同，我們強調(diào)國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)鏈拓展下游7納米應用市場和客戶，從而形成產(chǎn)業(yè)生態(tài)閉環(huán)的重要現(xiàn)實意義。我們認為多次曝光理論上可以繼續(xù)推進國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)的制程工藝。但隨之而來的良品率和生產(chǎn)率的挑戰(zhàn)或影響國產(chǎn)更先進制程的經(jīng)濟效益，產(chǎn)能爬升尚需時間。對比境外半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗，我們認為，國產(chǎn)7納米制程尚未形成有效規(guī)模。我們建議投資者關注7納米在不同下游應用的擴展情況。
刻蝕和沉積設備在EUV時代或依然有較高需求。長期看，我們認為多次曝光作為光刻機升級換代之間提升半導體工藝的關鍵技術，其所需的刻蝕和沉積設備的需求或?qū)㈤L期保持高位。國產(chǎn)EUV光刻機的研發(fā)可見度還較低，從長期看，考慮到成本、生產(chǎn)率和良品率等因素，我們認為EUV或仍將是國產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈挑戰(zhàn)先進制程的重要環(huán)節(jié)。EUV加多次曝光已是境外半導體產(chǎn)業(yè)鏈3納米制程工藝的主要技術。我們因此認為即便國產(chǎn)EUV研發(fā)成功，也不應該是刻蝕和沉積設備的需求長期向好的風險。
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