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投資要點(diǎn)：
　　芯碁微裝：直寫光刻技術(shù)領(lǐng)先，下游應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展。公司深耕微納直寫光刻技術(shù)領(lǐng)域，根據(jù)公司2022年年報(bào)，已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)直寫光刻設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)（本報(bào)告標(biāo)題以及下文同），覆蓋PCB和泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，布局微米到納米的多領(lǐng)域光刻環(huán)節(jié)。受益于泛半導(dǎo)體市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化替代不斷加速的趨勢(shì)，公司不斷推出應(yīng)用于IC載板、先進(jìn)封裝、IC掩模版制版、分立功率器件等制造、顯示光刻、光伏電池曝光等細(xì)分領(lǐng)域的泛半導(dǎo)體直寫光刻設(shè)備，拓寬下游應(yīng)用。
　　光刻：技術(shù)路徑二分，直寫光刻日趨成熟。泛半導(dǎo)體領(lǐng)域主流的應(yīng)用技術(shù)路線主要分為L(zhǎng)DI（數(shù)字直寫無掩膜光刻）和掩膜光刻。直寫光刻技術(shù)，無需掩膜版，不同生產(chǎn)方案迭代速度快，靈活性更高，市場(chǎng)應(yīng)用細(xì)分。伴隨技術(shù)進(jìn)步，直寫光刻逐步拓展應(yīng)用。得益于直寫光刻圖形靈活的特點(diǎn)，直寫光刻在晶圓重構(gòu)封裝中解決偏移問題能力較強(qiáng)，產(chǎn)能接近傳統(tǒng)曝光機(jī)，且具備一定競(jìng)爭(zhēng)力。光伏領(lǐng)域，公司公眾號(hào)發(fā)布芯碁微裝、海源復(fù)材、廣信材料合作開發(fā)N型電池銅電鍍金屬化技術(shù)。2023年5月公司與海外光伏客戶簽單，可提供客戶產(chǎn)能≥8000wp，光刻解析優(yōu)于10μm的太陽能光刻量產(chǎn)設(shè)備，產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展加速。
　　競(jìng)爭(zhēng)：直寫需求提升，芯碁微裝技術(shù)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。在主流的技術(shù)路徑中，國(guó)內(nèi)外有日本ORC、上海微電子、以色列Orbotech等多家公司競(jìng)爭(zhēng)。伴隨封裝領(lǐng)域中芯片集成度和性能要求的提高，光刻機(jī)的曝光分辨率和精度等方面的要求也在不斷提升。LDI光刻機(jī)具備發(fā)現(xiàn)位置偏移，提升產(chǎn)品良率等優(yōu)勢(shì)，我們預(yù)計(jì)LDI曝光設(shè)備未來將持續(xù)向高端領(lǐng)域布局。芯碁微裝直寫光刻機(jī)性能較為優(yōu)秀，根據(jù)公告，精度水平方面IC制版光刻達(dá)到90nm，先進(jìn)封裝2微米，F(xiàn)PD最小解析優(yōu)于700nm，載板系列6微米節(jié)點(diǎn)，功率器件2微米級(jí)別。
　　擴(kuò)產(chǎn)：直寫光刻設(shè)備具備競(jìng)爭(zhēng)力，成為業(yè)績(jī)新增長(zhǎng)點(diǎn)。光刻需求在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域分布廣泛，公司泛半導(dǎo)體領(lǐng)域目前已布局IC直寫光刻、先進(jìn)封裝、掩膜版制版、OLED顯示面板光刻等領(lǐng)域。國(guó)內(nèi)IC、FPD、先進(jìn)封裝行業(yè)發(fā)展較快，下游廠商持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)。受益于國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)與自身產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，2019-2022年公司泛半導(dǎo)體業(yè)務(wù)占比由1.0%提升至14.7%，提升迅速，是公司重要的增長(zhǎng)點(diǎn)。
　　維持盈利預(yù)測(cè)，維持“增持”評(píng)級(jí)。我們維持預(yù)測(cè)公司2023-2025年歸母凈利潤(rùn)分別為2.11/3.11/4.37億元，當(dāng)前股價(jià)（2023.06.16）對(duì)應(yīng)市盈率分別為45/30/22倍，維持“增持”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：定增項(xiàng)目實(shí)施不及預(yù)期、產(chǎn)品更新迭代不及預(yù)期、競(jìng)爭(zhēng)加劇的風(fēng)險(xiǎn)